СХЕМЫ ОБРАБОТКИ И СРЕДСТВА ОСНАЩЕНИЯ АЛМАЗНО-ЭЛЕКТРОЭРОЗИОННОГО ШЛИФОВАНИЯ

Анализ технологических схем АЭЭШ

Процесс АЭЭШ можно реализовать при электрическом воздействии на круг и заготовку непосредственно в зоне шлифования, а также в случае разде­ления зоны шлифования (микрорезания) и электрического воздействия на круг. Возможны различные комбинации этих двух вариантов [1, 4, 5].

Достоинства первого варианта (схема I, III и IV на рис. 1.4) — относитель­ная простота конструктивного исполнения и возможность реализации на обыч­ных шлифовальных станках или предназначенных для электрохимического шлифования. При этом обеспечиваются непрерывное вскрытие новых режущих зерен за счет дозированного разрушения металлической связки круга, удаление продуктов микрорезания с поверхности круга, частичное разрушение и удале­ние микростружки из рабочей зоны. В результате значительно возрастают ре­жущая способность круга и период его эффективной работы, обеспечивается возможность производительного шлифования любых металлов и сплавов как вязких (сталей, меди, алюминия…), так и высокопрочных и хрупких [1].

Получить достаточно высокие технико-экономические показатели АЭЭШ возможно лишь при условии согласования интенсивности электрического воз­действия на инструмент с интенсивностью его затупления. При отсутствии та­кого согласования круг теряет свои высокие режущие свойства либо за счет по­степенного затупления режущих зерен, либо за счет их быстрого удаления из алмазоносного слоя при избыточно большом эрозионном съеме связки круга. Соблюдение такого условия в случае работы по схемам I, III, IV связано с опре­деленными трудностями: в ряде случаев не удается сохранить стабильность процесса, постепенно снижается режущая способность инструмента, ухудшает­ся качество обработки [1, 4, 5].

СХЕМЫ ОБРАБОТКИ И СРЕДСТВА ОСНАЩЕНИЯ АЛМАЗНО-ЭЛЕКТРОЭРОЗИОННОГО ШЛИФОВАНИЯ

Рис. 1.4. Технологические схемы АЭЭШ

Устранение этого недостатка возможно при разделении зоны электриче­ского воздействия на инструмент и зоны шлифования, т. е. при использовании схем 11а и ІІб (рис. 1.4). Практическая реализация такого варианта не требует создания специальных станков, хотя и является конструктивно более сложной. Автономный (правящий) электрод в данном случае монтируют на шлифоваль­ной бабке, которая перемещается по отношению к рабочей поверхности круга. Схема ІІб обработки с упругим поджатием правящего электрода к рабочей по­верхности круга и схема IIa с поддержанием между ними некоторого зазора по­зволяют обеспечить более высокую геометрическую точность инструмента и меньший износ электрода и инструмента. Для поддержания заданного МЭЗ и необходимой интенсивности электрического воздействия на алмазный инстру­мент автономный электрод снабжают автоматическим или электромеханиче­ским следящим приводом.

Сопоставление вариантов показывает, что использование следящего ав­тономного электрода позволяет стабилизировать мощность привода шпинделя в широком диапазоне механических режимов обработки и обеспечивает посто­янство технологических показателей шлифования. Удельный износ алмазов при работе по схемам II, ІІа снижается в среднем на 30-40 % (табл. 1.1). Важным преимуществом варианта является также возможность шлифования твердых и хрупких непроводящих ток материалов — алмазов, хрусталя, ферритов и др.

Таблица 1.1

Технологические показатели схем АЭЭШ [1, 4, 5]

Схемы

Производительность

обработки,

см3/мин

Максимальная площадь контак­та, см2

Расход ал­мазных зе­рен, мг/г

Период стой­кости круга, мин

I

0,8-1,0

<2,5

8,5-9,5

10-15

II, IIa

0,5-2,0

до 10

3,0-4,0

90-200

III, IV

0,7-2,0

5-8

3,5-5,6

<60

Updated: 05.04.2016 — 19:54