Методика основана на использовании склонности алмаза к электризации его поверхности при трении пары «алмаз-алмаз» [43, 88, 183].
Как известно [88], распиливание кристаллов алмаза сопровождается интенсивной статической электризацией. На этом принципе основано определение эффективности разрезки природных алмазов [61]. Величина тока электризации достигает нескольких сот наноамперов и выбор его в качестве управляющего сигнала для включения цепи управления РПК обусловлен тем, что его проще регистрировать, чем, например, электронную или фотоэмиссию. Известно, что по мере износа алмазного круга на зернах образуются площадки износа, и процесс трансформируется в трение износостойкой пары «алмаз-алмаз» или «алмаз-связка» [34]. По мере увеличения площадок износа растет и ток электризации. На использовании эффекта электризации трущихся алмазных поверхностей разработана оригинальная методика определения степени топографической приспосабливаемости взаимодействующих поверхностей алмазного круга и обрабатываемого СТМ (рис. 2.11). График зависимости тока электризации от величины фактической площади контакта в системе «РПК-СТМ» представлен на рис. 2.11 б.
Поскольку величина тока электризации мала, а наличие электролита вносит дополнительные сложности при регистрации сигнала, предложена специальная электрическая схема (см. рис. 2.11 а). Для снятия с площадок износа электрического тока малой величины используется электродинамический съемник 5 с вибропребразователем 6, модуляция емкости которого осуществляется за счет изменения величины промежутка между площадками износа на алмазных зернах и пластиной конденсатора. Снятый сигнал малой величины усиливается электрометрическим усилителем 3 и синхронизируется с работой генератора 7 синхронным резистором 9. Усиленный сигнал подается на микроконтроллер 10, запрограммированный на включение через схему управления 11 любых параметров комбинированного управления РПК, т. е. может изменяться величина тока в цепи управления, скважность, частота и энергия импульсов, амплитуда и частота ультразвукового воздействия на зерна круга и т. д.
Величина снимаемого по разработанной схеме электрического потенциала зависит от количества и величины площадок износа на алмазных зернах и, как следствие, от величины фактической площади контакта в системе «РПК-СТМ». Таким образом, по величине снимаемого электрического сигнала делается заключение об уровне топографической приспосабливаемости поверхностей РПК и СТМ.
Этот подход использован и при разработке адаптивной системы комбинированного управления режущим рельефом круга (см. гл. 7).
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||