Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Широко применяемые методы профилографирования при исследова­нии параметров рабочей поверхности кругов с целью изучения изменения их в процессе износа круга имеют ряд существенных недостатков, главное из них — искажающее влияние радиуса ощупывающей иглы [56, 148].

Современная методика лазерного сканирования применительно к изу­чению 3D параметров топографии обработанной поверхности СТМ и РПК не только лишена этого недостатка, но и обладает рядом принципиальных дос­тоинств.

Исследование 3D топографии рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ проводилось на лазерном сканирующем приборе «Perthometer S8P» с лазерным датчиком модели FOCODYN, диапазон верти­кального разрешения которого составлял ±250 мкм, что вполне достаточно для измерения высотных параметров РПК кругов зернистостью до 630/500 (рис. 2.2 а). Прибор позволяет одновременно фиксировать 9 выбранных из 86 возможных параметров топографии РПК. Существенным достоинством данного прибора является синхронная компьютерная обработка результатов измерения. Данная методика резко расширяет возможности исследования, уменьшает трудоемкость и повышает точность.

С учетом анализа влияния состояния РПК на выходные показатели процесса алмазного шлифования СТМ, установленного ранее [38], нами ис­следовались следующие параметры (условные обозначения параметров за­ложены в процессоре измерительного центра и соответствуют рис. 2.2-2.4): RP — высота от вершины зерен до средней линии; RA — аналог стандартного параметра Ка; RQ — среднеквадратичное отклонение профиля; RT — макси­мальная высота неровностей профиля; RSM — средний шаг неровностей про­филя; RSK — асимметрия закона распределения неровностей профиля; RZISO — высота неровностей по десяти точкам (Rz); TPK — относительная опорная площадь поверхности; X — среднее значение параметра; S — отклонение от стандарта; R — разность между максимальным и минимальным значениями; (диапазон рассеяния); VER — вертикальное увеличение; HOR — горизонталь­ное увеличение; LT — общая длина трассы сканирования; GS — элементарная (базовая) длина сканирования.

Подпись: Глава 2. Методологические основы изучения процесса в трехмерном (3D) представлении
Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

го 4в ба аогтрк

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

R gs е. аав uer і7.зв ти

 

и

GS

0.600

ПИ

R

С

( В

0) 0.00

YH

R с

(10

0>-22.04

YH

Р с

(20

0>-28.44

YH

R

С

(30

8>-ЗЬЗ?

УН

R

С

(40

0>“33.63

УН

R

с

(50

в>-35.74

УН

R

с

(60

0>-37 .78

УН

R

с

(70

в >-40 Л 9

УН

R

с

(80

0Ь42.94

УИ

R

с

(80

в>-46,25

УН

 

е

 

к

о

05

ОС

§

 

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Л1Г‘

t/iC

 

г

 

д

 

Рис. 2.2. К методике лазерного сканирования рабочей поверхности круга и СТМ: а — лазерный измерительный центр; б — топография РПК (без фильтра); в — топография РПК (с фильтром); г — рельеф РПК; д — 3D параметры РПК и закон распределения вершин зерен; е — относительная опорная площадь поверхности РПК; ж — топография обработанной поверхности СТМ

 

05

Lb

 

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканированияазерный измерительный центр позволяет получать визуальное изо­бражение 3D топографии как непосредственно РПК (позитив), так и его от­печатка (негатива), обозначаемой на рис. 2.2 б, в символом NEG. Топография РПК может быть получена как с учетом волнистости поверхности (см. рис. 2.2 б), так и без, т. е. в отфильтрованном виде (см. рис. 2.2 в).

Анализ поверхности реплики (NEG) РПК показывает, что основная масса зерен выпадает из связки только в первые секунды шлифования, т. е. параметры негатива РПК в выступающей части практически одинаковы для 3 секунд и 2 минут шлифования (см. рис. 2.3. и 2.4.).

алмазных зерен, особый интерес представляют параметры микрорельефа от­дельных алмазных зерен. При изучении 3D топографии РПК с малым шагом сканирования (см. рис. 2.2 г), в нашем случае равном 2.38 мкм, лазерный луч по каждому алмазному зерну размером 100 мкм проходил более 30 раз. Ис­пользование данной методики позволяет подтвердить эффективность пред­ложенного в гл. 7 способа принудительного формирования на алмазных зер­нах режущего субмикрорельефа.

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканированияОсобый интерес представляет изучение параметра относительной опорной площади поверхности (tps), который в большой степени определяет величину фактической площади контакта в системе «РПК-СТМ».

С учетом того, что установленная нами при 3D моделировании напря­женно-деформированного состояния системы «СТМ-зерно-связка» величи­на упругого внедрения зерна в СТМ не превышает 0.5-1 мкм [195], величину

tps будем определять на уровне 1 мкм от максимально выступающего зерна,

т. е. на уровне Р = 5 % при hp = 20 мкм.

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

perthoietrr S0P 6.22

Рис. 2.4. Негатив 3D топографии рабочей поверхности алмазного круга

после двух минут шлифования

Методика лазерного сканирования позволяет в 3D варианте в компью­терном режиме определять величину tps как на макроуровне (РПК поверхно­сти круга), так и на микроуровне — субмикрорельеф отдельных алмазных зе­рен. Величина «шероховатости» рабочей поверхности отдельных алмазных зерен является важным параметром при определении фактической площади контакта в системе «СТМ-зерно», который сложно получить другими спо­собами. Величина относительной опорной площади профиля РПК на уровне 0-1 мкм (субмикрорельеф зерен) будет использована при определении вели­чины фактической площади контакта в системе «РПК-СТМ».

Динамика изменения параметра tps на уровне Р = 5 %, что адекватно фактической площади контакта в системе «СТМ-зерно» свидетельствует, что у вновь вскрытого электрохимическим методом круга (рис. 2.5) tps воз­растает медленно по глубине рельефа РПК, что свидетельствует о высокой остроте зерен, а у изношенного круга tps. резко возрастает из-за массового образования на зернах площадок износа (рис. 2.6). Анализ динамики измене­ния параметра tps по глубине профиля одного и того же круга, но работаю­щего в различных условиях, позволяет судить об изменении величины фак­тической площади контакта в системе «РПК-СТМ».

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Рис. 2.5. Относительная опорная площадь топографии РПК после правки круга

Значительный практический и методический интерес представляет возможность фильтрации, которой обладает лазерный сканирующий изме­рительный центр. Она позволяет отделить волнистость макропрофиля РПК от рельефа алмазных зерен над уровнем связки. Такая методика особенно важна при анализе роли процесса управления продольным и поперечным профилем РПК [38].

Существенным достоинством данной методики является компьютер­ная обработка результатов сканирования и построения законов распределе­ния высоты зерен над уровнем связки (см. рис. 2.2 д) и их изменения в про­цессе шлифования. Таким образом, методика лазерного сканирования рабо­чей поверхности круга позволяет быстро и достоверно определять законы распределения алмазных зерен над уровнем связки, которой занимались многие исследователи [10, 161, 190].

Изучение 3D параметров рабочей поверхности алмазных кругов и поверхности СТМ методом лазерного сканирования

Рис. 2.6. Относительная опорная площадь топографии РПК после двух минут шлифования

С использованием этой же методики исследовались и параметры топо­графии обработанной поверхности СТМ, граней и режущей кромки резцов из СТМ и их зависимость от условий обработки (см. рис. 2.2 ж).

Updated: 28.03.2016 — 18:44